动态随机存取存储器（DRAM）的工作原理

视频内容的总结： 动态RAM（DRAM）基础：DRAM使用电容器和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来存储数据。电容器存储电荷来代表二进制数据（0或1），而MOSFET用于控制电容器的充电和放电。 存储单元：DRAM的一个基本存储单元由一个电容器和一个晶体管组成，可以存储一位信息。相比之下，SRAM使用一系列的逻辑门来存储数据。 成本与容量：由于DRAM的存储单元结构简单，它能够在较小的空间内存储更多的数据，因此生产成本较低，容量较大。 读取与写入操作：DRAM的读取操作是自毁性的，因为读取数据时会放电电容器。写入操作需要精确地向特定单元写入数据，同时避免影响同一行的其他单元。 刷新机制：由于电容器会逐渐放电，DRAM需要周期性地刷新来保持数据，这涉及到读取数据然后立即重写，以防止数据丢失。 性能问题：DRAM的读取和写入过程比SRAM慢，部分原因是需要进行额外的刷新步骤，以及在读取和写入时需要通过多路复用器和解复用器进行数据传输。