只用了8年，这家中国企业自研芯片追上了世界前进水平！

国产自研的长江晶栈架构，实现了比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%。产品开发时间缩短了三个月，生产周期可缩短20%。 目前，基于晶栈2.0技术的长存第三代TLC 3D NAND闪存颗粒，单颗芯片容量可达512Gb，实现行业领先的、高达1600MT/s 的I/O速度。而基于长存晶栈3.0架构新一代QLC闪存颗粒，新一代TLC闪存颗粒，拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度，四通道方案可实现高达7000 MB/s的顺序读取速度。