杭州中欣晶圆申请硅片椭圆边缘轮廓矫正加工专利，解决硅片辊磨过程出现椭圆的问题

<p>金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法”的专利，公开号 CN 119175599 A，申请日期为2024年8月。</p><p>专利摘要显示，本发明涉及一种硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法，所属硅片加工技术领域，包括先对椭圆形硅片进行多角度直径测量，根据多根直径数据计算出圆心所在的位置，然后重新设定倒角加工承载台的圆心的坐标，增加圆心坐标则定位缺口位置加工量增加，降低圆心坐标定位缺口位置加工量减小。根据定位缺口深度计算出偏心加工量，设置各项直径补偿进给量，然后硅片将按不同直径方向进给量进入倒角砂轮沟槽加工，最终形成纯圆形貌。具有操作便捷和加工稳定性好优点。解决了硅片辊磨过程出现椭圆的问题。通过在硅片倒角加工前增加外型测量，并根据定位缺口位置直径数据与短边直径数据对比计算，然后根据目标值修正长边直径去除量，从而达到硅片整圆过程。</p>