深圳市天创伟业申请高密度存储芯片封装结构设计专利，提高了高密度存储芯片封装结构的设计效率和性能

<p>金融界2024年12月24日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市天创伟业科技有限公司申请一项名为“高密度存储芯片封装结构设计方法、装置及设备”的专利，公开号 CN 119167880 A，申请日期为2024年11月。</p><p>专利摘要显示，本发明涉及一种高密度存储芯片封装结构设计方法、装置及设备。该方法：基于当前封装结构参数组合对高密度存储芯片的多芯片堆叠结构进行三维建模，得到封装结构模型；进行有限元分析，得到应力分布数据和应力‑应变曲线；进行特征提取和特征融合，得到融合特征向量；基于多层前馈神经网络训练得到结构优化模型；进行依赖关系分析，构建参数树形结构，并分配对应的优先级值；利用参数树形结构和所述优先级值，对多个封装结构参数进行排序和逐一优化，同时采用自适应罚函数法处理约束条件，得到目标封装结构参数组合。本发明的实施提高了高密度存储芯片封装结构的设计效率和性能。</p>