王琛入选2023年度《麻省理工科技评论》“TR35”

王琛在业内率先提出了原子层半导体分子超晶格新材料体系，为攻克新型高性能半导体器件研制的材料瓶颈提出全新的解决方案。面对后摩尔时代芯片互联材料在纳米尺度的强量子效应，王琛发展了适用于后摩尔芯片纳米尺度互联新材料体系和工艺方案。在芯片器件三维高密度集成领域，他通过发展新型的中间结层设计和工艺方案，突破了