高性能光子芯片领域取得突破

高性能光子芯片领域的最新研究进展显示，我国科学家已经取得了显著的突破。具体来说，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得了突破性进展。他们成功开发出了可批量制造的新型“光学硅”芯片，这一成果在《自然》杂志上发表。 钽酸锂因其优异的电光转换特性而被称为“光学硅”，在某些方面甚至比铌酸锂更具优势。该材料的制备工艺与绝缘体上硅晶圆制备工艺相近，因此可以实现低成本和规模化制造，具有极高的应用价值。科研团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量的硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。 此外，科研团队还与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，成功制备出钽酸锂光子芯片。