【前沿】韩国开发出新型存储器，有望替换现有内存

韩国科学家研发出超低功耗相变存储器，未来有望替代现有内存！ 韩国科学技术院的研究团队近日宣布成功研发出了一款超低功耗相变存储器。这款存储器具有替代目前广泛应用的DRAM和NAND闪存的潜力，同时能支持下一代人工智能硬件的神经拟态计算需求。相变存储器利用材料在晶态与非晶态间转换时电阻变化的原理进行信息存储和处理，既具备DRAM的高速度优势，又具有NAND闪存的数据持久性。 研究团队通过采用新方法，有效避免了昂贵的光刻制造过程，大大降低了生产成本，提高了能效，实现了比传统相变存储器低15倍的超低功耗性能。这项成果对于构建高密度三维垂直存储器和神经形态计算系统等前沿应用具有重要价值。 这款超低功耗相变存储器为存储器制造领域带来了新的突破，未来有望引领电子工程领域的发展潮流。