ASML名为High-NA Twinscan EXE的High-NA极紫外光芯片制造工具每台成本约为3.8亿美元,是其现有Low-NA EUV光刻系统(成本约为1.83亿美元)的两倍多。 High-NA EUV 技术是一项重大突破,与目前使用的 Low-NA EUV 工具的 13 纳米分辨率相比,High-NA EUV 工具的压印分辨率提高了 8 纳米。这使得芯片制造商生产的晶体管尺寸缩小了近 1.7 倍,从而使芯片上的晶体管密度提高了三倍。