用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案

作为电源解决方案的主要供应商，意法半导体（ST）已经加大力度，在产品中应用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙材料（WBG）。这两种技术的吸引力主要在于能在较高的电压下运行而不影响导通性能。它们的物理和电气特性使其能够在小型化、可靠性和功率密度（对于电动汽车逆变器和充电器、数据中心转换器和工业驱动器等要求严苛的应用而言尤其重要）方面达到领先水平。因此，大规模应用新型半导体可以解决媒体广泛讨论的环境问题并推动“碳中和”。为了帮助您更好地理解潜在性能优势，本视频介绍了宽禁带功率半导体材料的优点、ST碳化硅产品的优点和产品介绍、碳化硅在ST开关电源应用的成功案例和优势，以及ST氮化镓产品介绍。