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一枚闪存芯片的自述
三星12英寸闪存芯片二期项目由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总投资1010亿元，新建一条12英寸3D V-NAND生产线。预计2021年建成投产，2022年实现满产。届时，三星西安公司闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上，成为陕西省首家千亿级高科技制造业企业和全球规模最大的闪存芯片生产基地，推动陕西省电子信息产业向世界级产业集群迈进。（记者 赵晨 韩博磊 陆晟）
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三星12英寸闪存芯片二期项目由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总投资1010亿元，新建一条12英寸3D V-NAND生产线。预计2021年建成投产，2022年实现满产。届时，三星西安公司闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上，成为陕西省首家千亿级高科技制造业企业和全球规模最大的闪存芯片生产基地，推动陕西省电子信息产业向世界级产业集群迈进。（记者 赵晨 韩博磊 陆晟）
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