长鑫连发技术成果打乱三星海力士节奏

长鑫存储密集发布 LPDDR6、G5 工艺、4F² 垂直架构等 DRAM 技术，自研 VSG 垂直环绕栅，依托 DUV 实现高密度内存，相比三星海力士同类技术提前约 2 年。国产存储从产能追赶，迈入下一代架构竞争。#长鑫存储 #4F²架构 #国产DRAM #半导体 #存储芯片 #芯片科普