9月20日，合肥，2026世界制造业大会，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台(长鑫G5技术平台)正式量产，同步展出基于该

9月20日，合肥，2026世界制造业大会，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台(长鑫G5技术平台)正式量产，同步展出基于该平台的12英寸DRAM晶圆和24GB LPDDR5X芯片。 在没用EUV光刻机的条件下，把DRAM工艺推到1c水平，是长鑫存储此次量产真正的技术内核。 11.95纳米，这是G5平台内存阵列有源区半间距的数字。它接近全球最顶尖的内存量产平台制程，大致对应行业内的“1c”工艺节点。而实现这一突破的，不是EUV，是四重曝光。 四重曝光技术将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储电容深宽比达45:1，同时开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，将核心功能区高度缩小到6762纳米。在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破。这些技术名词的堆叠，指向一个事实：长鑫存储找到了一条不依赖最EUV光刻机，仍能逼近全球顶尖制程的路径。 以前总说西方技术卡脖子，现在长鑫用DUV四重曝光技术做出了1c水平的DRAM，证明了“路从来不是只有一条”。 每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，这才是量产的经济意义。 在晶圆厂的重资产逻辑里，单片产出提升50%意味着单位成本的显著下降。长鑫存储用DUV光刻机，做出了逼近EUV光刻机水平的密度。这不是“能做出来”，而是“能便宜地做出来”——前者是技术验证，后者才是商业量产。 G5平台量产的战略分量，需要放在LPDDR6首发的背景下来审视。 8月29日，长鑫存储宣布LPDDR6实现量产，全球首发搭载于小米18 Fold。SK海力士、三星均规划2026年下半年实现LPDDR6量产出货，美光预计2027年全面商用。长鑫的量产节奏与国际巨头站在了同一起跑线上——这是国产DRAM第一次做到“首发不落后”。G5平台的量产，为LPDDR6的持续供货提供了工艺底座。当“首发”和“量产”同时发生时，长鑫存储的身份就从“替代者”切换成了“定义者”。 长鑫的产能扩张节奏同样在加速。当前月产能约20多万片12英寸晶圆，年底预计超过30万片。上海新厂已启动设备招标，长期规划产能60万片以上。 #2026世界制造业大会 #长鑫存储 #长鑫G5技术平台 #1cDRAM #24GBLPDDR5X