9月16日消息，中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中

9月16日消息，中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与国际先进水平之间仍存在接近5年的技术代差。如今，这一差距在多个细分领域被大幅压缩，显示出中国存储产业近年来的发展速度远超市场预期。 为了加速HBM研发，中国存储企业正在尝试更加创新的技术路线。报道指出，长鑫存储正在与长江存储展开合作，利用长江存储成熟的Xtacking混合键合技术构建HBM产品。与传统通过微凸点连接存储芯片的方法不同，这种铜对铜混合键合技术能够直接连接不同晶圆层，缩短电路路径，提高堆叠效率，并有望在一定程度上降低对先进EUV光刻设备的依赖。 #中国芯 #存储芯片 #长江存储 #长鑫存储 #Xtacking