绕开EUV封锁的工艺突破

北方华创在 IEEE 发布论文，公开两步循环刻蚀工艺，完成 3D‑DRAM 关键的高深宽比横向选择性刻蚀实验室验证，这套路线核心环节不依赖 EUV 极紫外光刻机，主要依靠 DUV 深紫外设备，给国产存储提供换道追赶路径。 #中国科技崛起 #北方华创 #DRAM #半导体