北方华创宣称取得重大突破，有望帮助长鑫存储突破 EUV 制裁并制造 3D DRAM 芯片 北方华创在 IEEE 期刊上

北方华创宣称取得重大突破，有望帮助长鑫存储突破 EUV 制裁并制造 3D DRAM 芯片 北方华创在 IEEE 期刊上发表的一篇论文阐述了其在 3D DRAM 的 64 层结构上实现均匀刻蚀方面取得的进展，从而将制造重心转向垂直方向，以摆脱非 EUV 光刻所面临的水平方向限制。