【百年化学 中国篇】

#抖音科研人请集合 #抖音前沿科技首发计划 #世界之最科学漫游指南 #芯片 #化学 特种气体国产化技术（中国） 中国突破高纯三氟化氮（NF₃）、六氟化钨（WF₆）、硅烷（SiH₄）等电子特气技术，纯度达 99.999%（5N）以上，用于芯片刻蚀、化学气相沉积（CVD）与离子注入，打破美国空气化工、法国液空垄断。 原理：NF₃ 在等离子体中热分解产生氟自由基（F·），与晶圆表面硅或金属反应生成挥发性氟化物，实现干法刻蚀。WF₆ 在 CVD 中被 H₂ 还原：WF₆ + 3H₂ → W + 6HF，在晶圆孔洞中沉积钨栓塞。SiH₄ 热分解：SiH₄ → Si + 2H₂，沉积多晶硅或氮化硅薄膜。