4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成

4月17日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司验证了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与性能优势，为5G及面向6G的更宽带宽射频前端与系统级封装优化提供了新的工程化路径。 面向5G及未来6G的通信需求，射频系统对带宽、线性度与集成度提出持续升级要求。长电科技在射频封装领域经过多年深耕，已形成面向射频PA、RFFE模组与毫米波应用的封装与测试能力：支持SiP、AiP等多种封装形态，覆盖共形、分腔及选择性溅射屏蔽，并具备5G、毫米波、NB‑IoT及高速信号测试能力；同时提供射频系统仿真与封装协同设计，并配套覆盖射频微波、毫米波、5G蜂窝与无线通信等的一站式验证测试平台，支撑客户从芯片、封装到模组与整机的验证与导入。 #长电科技 #半导体封测 #玻璃基板 #射频封装 #先进封装