中国EUV光刻机的十年攻坚 十年磨一剑，中国EUV光刻机研发背后的艰辛与突破。EUV光刻技术起源于20世纪80年代，由美

中国EUV光刻机的十年攻坚 十年磨一剑，中国EUV光刻机研发背后的艰辛与突破。EUV光刻技术起源于20世纪80年代，由美国牵头研究，后经全球多国合作突破，最终荷兰ASML公司成为唯一供应商，垄断了全球最先进芯片的生产。然而2019年，美国出口管制切断了中国获取EUV设备的路径，迫使中国转向自主研发。面对封锁，中科院团队在EUV光源技术上取得关键突破，实现3.42%的激光到极紫外光转换效率，为原型机研发奠定基础。EUV光刻机研发难度极大，需攻克激光等离子体光源、原子级光学系统、高精度双工件台三大核心部件技术。中国团队通过产学研合作逐步缩小与全球领先水平的差距。目前，中国EUV光刻机原型机已在深圳某实验室悄然运行，虽尚未量产，但已成功产生极紫外光，为2030年前达成自主生产目标迈出关键一步。中国EUV光刻机进击之路，是技术突围与产业自主的缩影。未来，若能量产，将重塑全球半导体产业格局。 #EUV光刻机 #自主研发 #技术封锁 #半导体突破 #中科院